Accordo fra Intel, Toshiba, Samsung sui chip delle memorie Flash Nand

Secondo varie fonti nipponiche, Intel, Toshiba e Samsung avrebbero intenzione di cooperare nello sviluppare tecnologie, che potrebbero più che dimezzare la larghezza dei circuiti di memoria flash NAND, portandoli a quasi 10 nanometri entro il 2016. Queste società intendono costituire un consorzio ed invitare altre 10 imprese che operano nel campo dei semiconduttori o materiali correlati.



Intel utilizzerà tali tecnologie per per sviluppare più velocemente microprocessori, secondo il quotidiano Nikkei, mentre Toshiba e Samsung realizzeranno classi di chip di memorie Flash Nand da 10 nm ed altri chip. Un portavoce di Intel non ha però, almeno per ora, confermato le voci su questa partner-ship. Attualmente le memorie flash Nand sono sempre più usate anche in computer portatili di fascia alta come il MacBook Air e nei dispositivi portatili.
 Per essere realmente competitive, però le memorie flash hanno bisogno di essere più dense, in modo di avere più capacità nello stesso spazio ed abbassare così i costi. La crescita del mercato degli smartphone farà crescere la domanda di memorie flash che dovrebbero passare dai 530 milioni di quest'anno agli oltre 9 miliardi nel 2013. Attualmente le aziende stanno producendo classi di chip, per memorie Flash Nand, da 20 nm.